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参数资料
| 型号： | MJD3055-I |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | MJD3055-I |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD305
5
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Turn On Time
Figure 4. Turn Off Time
Figure 5. Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
V
CE = 2V
h
FE
,DC
C
URRENT
GAI
N
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
I
C = 10 IB
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE
(s
a
t)
,V
CE
(s
a
t)
[V],
SA
T
U
R
A
T
IO
N
VO
L
T
AG
E
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
V
CC = 30V
I
C = 10.IB
t
D, VBE(off)=5V
t
ON
t ON
,t
D
[
s],
T
URN
O
N
T
IME
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
V
CC
= 30V
I
C = 10.IB
I
B1 = IB2
t
f
t
STG
t ST
G
,t
F
[
s],
T
URN
O
F
T
IM
E
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
100s
500s
1m
s
5m
s
DC
I
CP(max)
I
C(max)
I C
[A]
,CO
L
ECT
O
R
CUR
RENT
V
CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
P
C
[W
],
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
T
C[
o
C], CASE TEMPERATURE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD3055-T1 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD3055I | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD30C-1 | 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD30C-T1 | 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD30-1 | 1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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参数描述 |
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| MJD30TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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