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参数资料
| 型号： | MJD3055I |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | MJD3055I |
Product Folder - Fairchild P/N MJD3055 - NPN Epitaxial Silicon Transistor
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MJD3055
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Related Links
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Contents
Features
General Purpose Amplifier
Low Speed Switching Applications
D-PAK for Surface Mount Applications
q
Lead Formed for Surface Mount
Applications (No Suffix)
q
Straight Lead (I-PAK, "-I" Suffix)
q
Electrically Similar to Popular
MJE3055T
q
DC Current Gain Specified to 10A
q
High Current Gain - Bandwidth
Product: fT=2MHz (Min.), IC=500mA
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Datasheet
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Product status/pricing/packaging
Product
Product status
Pricing*
Package type
Leads
Packing method
MJD3055TF
Full Production
$0.339
TO-252(DPAK)
2
TAPE REEL
* 1,000 piece Budgetary Pricing
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file:///C|/shj/MJD3055.html [Jul-26-2002 3:17:01 PM]
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD30C-1 | 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| MJD30 | 1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD30C | 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MJD3055TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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| MJD30TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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