型号: | MJD31BT4 |
厂商: | STMICROELECTRONICS |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
封装: | TO-252, DPAK-3 |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 176K |
代理商: | MJD31BT4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJD32CT4-A | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
MJD32CT4 | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
MJD32TF | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
MJD32I | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD340-I | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJD31C | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD31C1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD31C-1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-252VAR |
MJD31C-13 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100V 5A NPN SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD31C1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |