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参数资料
| 型号： | MJD32BT4 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| 封装： | TO-252, DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | MJD32BT4 |
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Max
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
8.33
100
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25
oC unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICES
Collector Cut-off
Current (VBE = 0)
VCE = Max Rating
20
A
ICEO
Collector Cut-off
Current (IB = 0)
VCE = 60 V
50
A
IEBO
Emitter Cut-off Current
(IC = 0)
VEB = 5 V
0.1
mA
VCEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
IC = 30 mA
for MJD31B/32B
for MJD31C/32C
80
100
V
VCE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
IC = 3 A
IB = 375 mA
1.2
V
VBE(on)
Base-Emitter Voltage
IC = 3 A
VCE = 4 V
1.8
V
hFE
DC Current Gain
IC = 1 A
VCE = 4 V
IC = 3 A
VCE = 4 V
25
10
50
hfe
Dynamic Current Gain
IC = 0.5 A
VCE = 10 V
f = 1 KHz
IC = 0.5 A
VCE = 10 V
f = 1 MHz
20
3
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle ≤ 2 %
For PNP type voltage and current values are negative.
Safe Operating Area
Derating Curves
MJD31B/31C - MJD32B/32C
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD31BT4 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD32CT4-A | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD32CT4 | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD32TF | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD32I | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD32BTF | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C-13 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100V 3A PNP SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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