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参数资料
| 型号： | MJD340T4 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| 封装： | TO-252, DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 503K |
| 代理商： | MJD340T4 |
DC Current Gain (NPN type)
Collector Emitter Saturation Voltage (NPN type)
DC Current Gain (PNP type)
Collector Emitter Saturation Voltage (PNP type)
MJD340 / MJD350
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD340 | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD41C-I | 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD42-I | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD42C-I | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD42CI | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD340T4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 0.5A 300V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD340TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD340TF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 300V 3-D-PAK |
| MJD350 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 0.5A 300V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD350-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15 WATTS |
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