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参数资料
| 型号： | MJE13004-6226 |
| 厂商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | MJE13004-6226 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE13004-6255 | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE13004-6265 | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE13005-DR6259 | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE13004-DR6260 | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE13004-DR6280 | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE13005 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE13005 LEADFREE | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE13005_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS |
| MJE13005_08 | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
| MJE13005_12 | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
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