型号: | MJE13004W |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 156K |
代理商: | MJE13004W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MJE1800216 | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MPS6520-STYLE-D | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MMBT5089/S62Z | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MPS6530-T/R | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPQ3725 | 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MJE13005 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE13005 LEADFREE | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE13005_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS |
MJE13005_08 | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
MJE13005_12 | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS |