参数资料
型号: MJE13006WD
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件页数: 1/4页
文件大小: 156K
代理商: MJE13006WD
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PDF描述
MMBF5485-HIGH UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AA
MMST4403T146 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA10 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS4250T93 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSH32 NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
MJE13007 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 400V 80W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE13007_06 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-220AB PACKAGE
MJE13007_08 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
MJE13007_10 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN BIPOLAR POWER TRANSISTOR FOR SWITCHING POWER SUPPLY APPLICATIONS
MJE13007A 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2