型号: | MJE13071-6265 |
厂商: | HARRIS SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 77K |
代理商: | MJE13071-6265 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJE13071-6226 | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MJE15028 | 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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MJE15031 | 8 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJE15028_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120−150 VOLTS, 50 WATTS |
MJE15028G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 120V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE15029 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 120V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |