参数资料
型号: MJE15029AJ
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件页数: 2/4页
文件大小: 156K
代理商: MJE15029AJ
相关PDF资料
PDF描述
MPSA77-5T1 PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA70TRG 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MJE8502D1 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE8503AJ 5 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MPS6511 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
MJE15029G 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 120V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE15030 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 150V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE15030G 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 150V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE15031 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 150V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE15031 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-220