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参数资料
| 型号： | MJE16106AN |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/65页 |
| 文件大小： | 487K |
| 代理商： | MJE16106AN |
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3–696
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Designer's Data Sheet
NPN Silicon Power Transistor
Switchmode Bridge Series
. . . specifically designed for use in half bridge and full bridge off line converters.
Excellent Dynamic Saturation Characteristics
Rugged RBSOA Capability
Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) — 400 V
Collector–Emitter Breakdown — V(BR)CES — 650 V
State–of–Art Bipolar Power Transistor Design
Fast Inductive Switching:
tfi = 30 ns (Typ) @ 100_C
tc = 65 ns (Typ) @ 100_C
tsv = 1.3 s (Typ) @ 100_C
Ultrafast FBSOA Specified
100_C Performance Specified for:
RBSOA
Inductive Load Switching
Saturation Voltages
Leakages
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus)
400
Vdc
Collector–Emitter Breakdown Voltage
VCES
650
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
6
Vdc
Collector Current — Continuous
— Pulsed (1)
IC
ICM
8
16
Adc
Base Current — Continuous
— Pulsed (1)
IB
IBM
6
12
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
@ TC = 100_C
Derated above 25
_C
PD
100
40
0.8
Watts
W/
_C
Operating and Storage Temperature
TJ, Tstg
– 55 to 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance — Junction to Case
R
θJC
1.25
_C/W
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes 1/8
″ from
Case for 5 Seconds
TL
275
_C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle
v 10%.
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MJE16106
POWER TRANSISTORS
8 AMPERES
400 VOLTS
100 AND 125 WATTS
CASE 221A–06
TO–220AB
REV 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE16106AS | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16106BU | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16106BD | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16106BS | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE16204 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, NPN TO-220 |
| MJE170 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170STU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE171 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 60V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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