型号: | MJE170LEADFREE |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 35K |
代理商: | MJE170LEADFREE |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJE200LEADFREE | 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
MJE232LEADFREE | 4 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
MJE243LEADFREE | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
MJE210 | 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
MJE240 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJE170STU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE171 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 60V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE171_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 − 60 − 80 VOLTS 12.5 WATTS |
MJE171G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 60V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE171STU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |