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参数资料
| 型号： | MJE171 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 526K |
| 代理商： | MJE171 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MJE270 | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
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| MJE172 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MJE181 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MJE271 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE171_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 − 60 − 80 VOLTS 12.5 WATTS |
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| MJE171STU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE172 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Power Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE172 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -80V 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Transistor |
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