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参数资料
| 型号： | MJE1800216 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | MJE1800216 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6520-STYLE-D | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MMBT5089/S62Z | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MPS6530-T/R | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPQ3725 | 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116 |
| MPS3638AT93 | 500 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE18002D2 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MJE18002G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 450V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18004 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18004D2 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18004D2G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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