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参数资料
| 型号： | MJE18002BA |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 23/65页 |
| 文件大小： | 409K |
| 代理商： | MJE18002BA |
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MJE18002 MJF18002
3–706
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
0
1
2
0.001
0.010
0.100
1.000
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
1
10
100
0.01
0.10
1.00
10.00
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
1
10
100
0.01
0.10
1.00
10.00
0.01
0.10
1.00
10.00
0.01
0.10
1.00
10.00
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0.01
0.10
1.00
10.00
1
10
100
1000
1
10
100
1000
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IC/IB = 10
IC/IB = 5
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
V
CE
,V
OL
TAGE
(
V
OL
T
S
)
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
BE
,V
OL
TAGE
(
V
OL
T
S
)
0.01
0.10
1.00
10.00
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
VCE = 1 V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volts
VCE = 5 V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
0.01
0.10
1.00
10.00
0.001
0.010
0.100
1.000
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 3. Collector Saturation Region
TJ = 25°C
IC = 0.2 A
0.4 A
1 A
1.5 A
2 A
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
IC/IB = 10
IC/IB = 5
0.01
0.10
1.00
10.00
0.01
0.10
1.00
10.00
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 5. Base–Emitter Saturation Region
TJ = 25°C
TJ = 125°C
1
10
100
1000
VCE, COLLECTOR–EMITTER (VOLTS)
Figure 6. Capacitance
Cib
Cob
TJ = 25°C
f = 1 MHz
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