参数资料
型号: MJE18002D2
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 1000 VOLTS 50 WATTS
中文描述: 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件页数: 9/10页
文件大小: 254K
代理商: MJE18002D2
9
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–06
TO–220AB
ISSUE Y
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
–––
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
–––
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
–––
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
–––
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1
2 3
4
D
SEATING
–T–
C
S
T
U
R
J
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 2:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
2.
3.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
U
MIN
0.621
0.394
0.181
0.026
0.121
0.100 BSC
0.123
0.018
0.500
0.045
0.200 BSC
0.126
0.107
0.096
0.259
MAX
0.629
0.402
0.189
0.034
0.129
MIN
15.78
10.01
4.60
0.67
3.08
MAX
15.97
10.21
4.80
0.86
3.27
MILLIMETERS
INCHES
2.54 BSC
3.13
0.46
12.70
1.14
5.08 BSC
3.21
2.72
2.44
6.58
0.129
0.025
0.562
0.060
3.27
0.64
14.27
1.52
0.134
0.111
0.104
0.267
3.40
2.81
2.64
6.78
–B–
–Y–
G
N
L
D
K
H
A
F
Q
3 PL
1 2 3
M
B
M
0.25 (0.010)
Y
SEATING
PLANE
–T–
U
C
S
J
R
CASE 221D–02
(ISOLATED TO–220 TYPE)
UL RECOGNIZED: FILE #E69369
ISSUE D
相关PDF资料
PDF描述
MJF18004 POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 1000 VOLTS 35 and 75 WATTS
MJF18004 POWER TRANSISTOR
MJF18006 POWER TRANSISTOR 6.0 AMPERES 1000 VOLTS 40 and 100 WATTS
MJF18006 POWER TRANSISTOR
MJE18006 POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MJE18002G 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 450V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004D2 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004D2G 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004G 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2