型号: | MJE18006A |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 156K |
代理商: | MJE18006A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MG30G2DM1 | 30 A, 450 V, 0.205 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MJ10025 | 20 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
MJE1300616 | 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MJE18008U2 | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MMBT5086/D87Z | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJE18006G | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE18008 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE18008G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE18009 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS |
MJE180G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |