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参数资料
| 型号： | MJE18008AK |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/65页 |
| 文件大小： | 503K |
| 代理商： | MJE18008AK |
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Selector Guide
2–6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 2. Plastic TO–220AB (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
8
60
2N6043(2)
2N6040(2)
1k/10k
4
1.5 typ
3
4(1)
75
80
2N6044 (2)
2N6041 (2)
1k/10k
4
1.5 typ
3
4(1)
75
BDX53B (2)
BDX54B (2)
750 min
3
4(1)
60
100
2N6045 (2)
2N6042 (2)
1k/10k
3
1.5 typ
3
4(1)
75
BDX53C (2)
BDX54C (2)
750 min
3
TIP102 (2)
TIP107 (2)
1k/20k
3
1.5 typ
3
4(1)
80
120
MJE15028
MJE15029
20 min
4
30
50
150
MJE15030
MJE15031
20 min
4
30
50
200
BU806 (2)
100 min
5
0.55 typ
0.2 typ
5
60
300/600
MJE5740(2)
200 min
4
8 typ
2 typ
6
4
80
MJE5850
15 min
2
0.5
4
80
350
MJE5741 (2)
200 min
4
8 typ
2 typ
6
80
MJE5851
15 min
2
0.5
4
80
MJE5742 (2)
200 min
4
8 typ
2 typ
6
80
MJE13007
5/30
5
3
0.7
5
80
MJE5852
15 min
2
0.5
4
80
400/650
MJE16106
6/22
8
2 typ
0.1 typ
5
100
400/700
BUL147
14/34
1
2.5(3)
0.18(3)
2
14 typ
125
450/1000
MJE18008
16/34
1
2.75(3)
0.18(3)
2
13 typ
125
10
20
BD808
15 min
4
1.5
90
60
D44H8
D45H8
40 min
4
50
MJE3055T
MJE2955T
20/70
4
75
2N6387 (2)
2N6667 (2)
1k/20k
5
20(1)
65
80
BDX33B (2)
BDX34B (2)
750 min
3
70
BD809
BD810
15 min
4
1.5
90
2N6388 (2)
2N6668 (2)
1k/20k
5
20(1)
65
D44H10
D45H10
20 min
4
0.5 typ
0.14 typ
5
50 typ
50
D44H11
D45H11
40 min
4
0.5 typ
0.14 typ
5
50 typ
50
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
(7)VCEO = 375 V
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
(9)Self protected Darlington
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18008AN | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008BV | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008AU | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008AS | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008BC | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE18008G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18009 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS |
| MJE180G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE180PWD | 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| MJE180STU | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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