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参数资料
| 型号： | MJE18204AK |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 56/67页 |
| 文件大小： | 533K |
| 代理商： | MJE18204AK |
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MJE18204 MJF18204
3–764
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 13. Inductive Switching,
tc & tfi @ IC/IB = 10
1100
100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
t,TIME
(ns)
600
TJ = 125°C
TJ = 25°C
3
04
2
tc
tfi
IBoff = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
1000
900
800
700
200
500
400
300
1
Figure 14. Inductive Fall Time
680
80
15
7
3
hFE, FORCED GAIN
480
t fi
,F
ALL
TIME
(ns)
280
9
TJ = 125°C
TJ = 25°C
11
513
IC = 2 A
IBoff = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
IC = 1 A
Figure 15. Inductive Crossover Time
1200
600
200
15
5
3
hFE, FORCED GAIN
1000
t c
,CROSSOVER
TIME
(ns)
7
TJ = 125°C
TJ = 25°C
910
11
800
400
4
6
8
121314
IC = 2 A
IC = 1 A
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
Figure 16. BVCER = f (RBE)
1400
600
1000
100
10
RBE ()
BVCER
(VOL
TS)
TJ = 25°C
BVCER (VOLTS) @ 10 mA
1300
800
BVCER(sus) @ 200 mA
1200
1100
1000
900
700
Figure 17. Forward Bias Safe Operating Area
100
0.01
1000
10
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 18. Reverse Bias Switching Safe
Operating Area
6
2
0
1200
400
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
4
100
600
1
0.1
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(AMPS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(AMPS)
5 ms
1 ms
10
s
1
s
0 V
–1.5 V
–5 V
TC ≤ 125°C
GAIN
≥ 5
LC = 4 mH
10
800
MJE18204–DC
MJF18204–DC
5
3
1
500
700
1000
900
1100
EXTENDED
SOA
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