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参数资料
| 型号： | MJE2361TA |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | MJE2361TA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5086/L99Z | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MJE13009UA | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MPSA70-STYLE-A | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA70-STYLE-E | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS2714 | 18 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE240 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MJE241 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE242 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE243 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE243_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Plastic Transistors 100 VOLTS, 15 WATTS |
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