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参数资料
| 型号： | MJE253 |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | TO-126, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | MJE253 |
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE710 | PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MPSA42 | 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA92 | 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJE720 | NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MPS3640 | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE253G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE253G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJE254 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE270 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE270G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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