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参数资料
| 型号： | MJE253 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-126VAR, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | MJE253 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE2955TJ69Z | 10000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-220 |
| MJE3055TJ69Z | 10000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-220 |
| MJE3439 | 0.3 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MJE371 | 4 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MJE520 | 3 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE253G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE253G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJE254 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE270 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE270G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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