型号: | MJE254 |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
中文描述: | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 35K |
代理商: | MJE254 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJE270 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE270G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE271 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE271G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE2801 | 制造商:MOSPEC 制造商全称:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(10A,60V,75W) |