型号: | MJE2801T |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 34K |
代理商: | MJE2801T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MH7302 | 0.1 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
MPSA65 | 300 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS9630 | 100 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS3392-18FLEADFREE | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPSL01-18FLEADFREE | 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJE2901 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
MJE2901T | 制造商:MOSPEC 制造商全称:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(10A,60V,75W) |
MJE2955 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose and Switching Applications |
MJE2955 (TD127) | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
MJE2955T | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |