型号: | MJE2955T16A |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 156K |
代理商: | MJE2955T16A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJF32C | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
MPSA75-5T | PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MMBFJ111S62Z | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
MPSA42APM | 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MMBT2222A/E9 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJE2955TD127 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
MJE2955TG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 125W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE2955TG-TN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
MJE2955TTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE2955TTU_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |