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参数资料
| 型号： | MJE2995T |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | MJE2995T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE2955T | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MA42006-510 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPS651APM | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJE8503UA | 5 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MPS6521/D26Z | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE304 | 制造商:Motorola 功能描述:MJE304 MOT'96 S7A1A |
| MJE3055 | 制造商:TRSYS 制造商全称:Transys Electronics 功能描述:Plastic-Encapsulated Transistors |
| MJE3055T | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE3055T | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220 |
| MJE3055T_09 | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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