收藏本站
参数资料
型号： MJE3055TAJ
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件页数： 16/59页
文件大小： 357K
代理商： MJE3055TAJ
5–3
Outline Dimensions and Leadform Options
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Outline Dimensions (continued)
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
1.530 REF
38.86 REF
B
0.990
1.050
25.15
26.67
C
0.250
0.335
6.35
8.51
D
0.057
0.063
1.45
1.60
E
0.060
0.070
1.53
1.77
G
0.430 BSC
10.92 BSC
H
0.215 BSC
5.46 BSC
K
0.440
0.480
11.18
12.19
L
0.665 BSC
16.89 BSC
N
0.760
0.830
19.31
21.08
Q
0.151
0.165
3.84
4.19
U
1.187 BSC
30.15 BSC
V
0.131
0.188
3.33
4.77
CASE 197A–05
A
N
E
C
K
–T– SEATING
PLANE
2 PL
D
M
Q
M
0.30 (0.012)
Y M
T
M
Y
M
0.25 (0.010)
T
–Q–
–Y–
2
1
L
G
B
V
H
U
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.570
0.620
14.48
15.75
B
0.380
0.405
9.66
10.28
C
0.160
0.190
4.07
4.82
D
0.025
0.035
0.64
0.88
F
0.142
0.147
3.61
3.73
G
0.095
0.105
2.42
2.66
H
0.110
0.155
2.80
3.93
J
0.018
0.025
0.46
0.64
K
0.500
0.562
12.70
14.27
L
0.045
0.060
1.15
1.52
N
0.190
0.210
4.83
5.33
Q
0.100
0.120
2.54
3.04
R
0.080
0.110
2.04
2.79
S
0.045
0.055
1.15
1.39
T
0.235
0.255
5.97
6.47
U
0.000
0.050
0.00
1.27
V
0.045
–––
1.15
–––
Z
–––
0.080
–––
2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
12 3
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
CASE 221A–06
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
CASE 197–05
A
N
E
C
K
D 2 PL
SEATING
PLANE
–T–
U
L
M
Q
M
0.25 (0.010)
Y M
T
–Y–
H
G
B
–Q–
2
1
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
1.510
1.550
38.35
39.37
B
0.980
1.050
24.89
26.67
C
0.250
0.335
6.35
8.51
D
0.057
0.063
1.45
1.60
E
0.060
0.135
1.52
3.43
G
0.420
0.440
10.67
11.18
H
0.205
0.225
5.21
5.72
K
0.440
0.480
11.18
12.19
L
0.655
0.675
16.64
17.15
N
0.760
0.830
19.30
21.08
Q
0.151
0.175
3.84
4.19
U
1.177
1.197
29.90
30.40
(TO220–AB)
(TO–204AA)
(TO–204AE)
相关PDF资料
PDF描述
MJE3055TAN 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2955TAJ 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2955TBV 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE3055TBC 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2955TAU 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MJE3055TG 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE3055TG-TA3-T 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MJE3055TG-TM3-T 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MJE3055TG-TN3-R 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MJE3055TL-TA3-T 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*