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参数资料
| 型号： | MJE5420ZN |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | MJE5420ZN |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS2369A/D74Z | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH11/D27Z | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MMBF5486 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| MG15J6ES1 | 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MPSH24{TAPE-REEL} | Si, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE5555 | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
| MJE5730 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 300V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5730_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage PNP Silicon Plastic Power Transistors |
| MJE5730G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 300V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5731 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 350V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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