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参数资料
型号： MJE5742BG
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件页数： 24/61页
文件大小： 397K
代理商： MJE5742BG
Outline Dimensions and Leadform Options
5–8
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TO–220 Leadform Options (continued)
LEADFORM BV
LEADFORM BU
LEADFORM BD
LEADFORM DW
UNDERSIDE
OF LEAD
MOUNTING
SURFACE
.094
± .01 .005 ±.005
.102
± .003
0.005
± 0.005
.223
± .010
.20 REF.
.100 REF.
0.102
± 0.005
0.680
± 0.005
.735
± .010
.610
± .010
.680
±.005
.800
± .050
3 LEADS
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PDF描述
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参数描述
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MJE5850 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 300V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE5850_06 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS
MJE5850G 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 300V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE5850G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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