型号: | MJE5742N |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 156K |
代理商: | MJE5742N |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MJE8501C | 2.5 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MJE5852WD | 8 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MJE5731U2 | 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MJE13008AJ | 12 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MJE12007W | 2.5 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MJE5850 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 300V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE5850_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS |
MJE5850G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 300V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE5850G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
MJE5851 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 350V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |