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参数资料
| 型号： | MJE720 |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | TO-126, 3 PIN |
| 文件页数： | 16/20页 |
| 文件大小： | 735K |
| 代理商： | MJE720 |
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS3640 | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| MJE720 | 1.5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MM3904 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AC |
| MJ420LEADFREE | 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| MM3003LEADFREE | 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE721 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS |
| MJE722 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS |
| MJE800 | 功能描述:达林顿晶体管 4A 60V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJE800G | 功能描述:达林顿晶体管 4A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJE800STU | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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