型号: | MJE800LEADFREE |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 35K |
代理商: | MJE800LEADFREE |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJE803 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
MJE344LEADFREE | 0.5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
MJE720LEADFREE | 1.5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJE800STU | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MJE800T | 制造商:MOSPEC 制造商全称:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
MJE801 | 功能描述:达林顿晶体管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MJE801STU | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MJE801T | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |