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参数资料
| 型号： | MJE800TWD |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | MJE800TWD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE800TL | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE8500WD | 2.5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE8500UA | 2.5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE8502W | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE8502UA | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE801 | 功能描述:达林顿晶体管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJE801STU | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJE801T | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| MJE802 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJE802 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Darlington Bipolar Transistor 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V |
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