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参数资料
| 型号： | MJE802 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | MJE802 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS2369A/D10Z-J61Z | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPS3398TRB | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS3702-5T | 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6531TRG | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS3721-5F | 18 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE802 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Darlington Bipolar Transistor 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V |
| MJE802_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
| MJE802G | 功能描述:达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJE802STU | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJE802T | 制造商:MOSPEC 制造商全称:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
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