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参数资料
| 型号： | MJE803 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | TO-126, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MJE803 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MJEC350 | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| MJF6107 | 7 A, 70 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJG | FEMALE, RIGHT ANGLE TELECOM AND DATACOM CONNECTOR, SOLDER, JACK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE803G | 功能描述:达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJE803STU | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transisitor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJE803T | 制造商:MOSPEC 制造商全称:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
| MJE8500 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistor |
| MJE8501 | 制造商:n/a 功能描述:_ 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-220AB |
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