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参数资料
| 型号： | MJF10012 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | MJF10012 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE5730N | 1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE5731W | 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE1503016 | 8 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE15031L | 8 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MPSA06-STYLE-G | 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJF122 | 功能描述:达林顿晶体管 5A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJF122G | 功能描述:达林顿晶体管 5A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJF127 | 功能描述:达林顿晶体管 5A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJF127G | 功能描述:达林顿晶体管 5A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJF13007 | 制造商:SAVANTIC 制造商全称:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
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