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参数资料
| 型号： | MJF16212 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 650 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | MJF16212 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJF6284 | 20 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| MJ16002A | 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| MJ16016 | 20 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| MPSU45 | 2 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MPSU52 | 0.8 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJF18002 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT NPN 450V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
| MJF18004 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 450V 35W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJF18004G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 450V 35W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJF18006 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MJF18006C | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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