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参数资料
| 型号： | MJUN11-DS-GOA |
| 厂商： | CRANE CONNECTORS |
| 元件分类： | 连接器件 |
| 英文描述： | INTERCONNECTION DEVICE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 309K |
| 代理商： | MJUN11-DS-GOA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSJ2650-100-AU015 | INTERCONNECTION DEVICE |
| MS-90101G-020-NL-XXX.XY | INTERCONNECTION DEVICE |
| MS-90101G-080-0M-XXX.XN | INTERCONNECTION DEVICE |
| MZ-28-29-07-036.00 | INTERCONNECTION DEVICE |
| MS-90111G-080-NM-XXX.XY | INTERCONNECTION DEVICE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJW0281A | 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 260V 150W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW0281A_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors |
| MJW0281AG | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN DIP PWR XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW0302A | 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 260V 150W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW0302AG | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIP PWR XSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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