- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录45329 > MK20X256VMD100 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA144 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MK20X256VMD100 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA144 |
| 封装： | 13 X 13 MM, MAPBGA-144 |
| 文件页数： | 26/74页 |
| 文件大小： | 1849K |
| 代理商： | MK20X256VMD100 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页当前第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页
6.4.1.2 Flash timing specifications — commands
Table 19. Flash command timing specifications
Symbol
Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
trd1blk256k
Read 1s Block execution time
256 KB data flash
—
1.4
ms
trd1sec2k
Read 1s Section execution time (flash sector)
—
40
μs
tpgmchk
Program Check execution time
—
35
μs
trdrsrc
Read Resource execution time
—
35
μs
tpgm4
Program Longword execution time
—
50
TBD
μs
tersblk256k
Erase Flash Block execution time
256 KB data flash
—
160
800
ms
tersscr
Erase Flash Sector execution time
—
20
100
ms
tpgmsec512
tpgmsec1k
tpgmsec2k
Program Section execution time
512 B flash
1 KB flash
2 KB flash
—
TBD
ms
trd1all
Read 1s All Blocks execution time
—
2.8
ms
trdonce
Read Once execution time
—
35
μs
tpgmonce
Program Once execution time
—
50
TBD
μs
tersall
Erase All Blocks execution time
—
320
1600
ms
tvfykey
Verify Backdoor Access Key execution time
—
35
μs
tpgmpart256k
Program Partition for EEPROM execution time
256 KB FlexNVM
—
175
TBD
ms
tsetram32k
tsetram256k
Set FlexRAM Function execution time:
32 KB EEPROM backup
256 KB EEPROM backup
—
TBD
ms
Byte-write to FlexRAM for EEPROM operation
teewr8bers Byte-write to erased FlexRAM location execution
time
—
100
TBD
μs
teewr8b32k
teewr8b64k
teewr8b128k
teewr8b256k
Byte-write to FlexRAM execution time:
32 KB EEPROM backup
64 KB EEPROM backup
128 KB EEPROM backup
256 KB EEPROM backup
—
TBD
1.5
TBD
2.5
ms
Word-write to FlexRAM for EEPROM operation
Table continues on the next page...
Peripheral operating requirements and behaviors
K20 Sub-Family Data Sheet Data Sheet, Rev. 4, 3/2011.
32
Preliminary
Freescale Semiconductor, Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MK20X256VLQ100 | 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| MK20N512VLQ100R | 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| MK20X128VLQ100R | 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| MK20X128VMD100R | 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA144 |
| MK20N512VMD100R | 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA144 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MK2104MAV | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DISK DRIVE |
| MK21-1A66B-100W | 制造商:MEDER 制造商全称:Meder Electronic 功能描述:MK Reed Sensor |
| MK21-1A66B-500W | 功能描述:近程传感器 1 Form A Screw Mt AT 1015 Wire Term RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 感应方式:Optical 感应距离:1 mm to 200 mm 电源电压:2.5 V to 3.6 V 安装风格:SMD/SMT 输出配置:Digital 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 系列:VCNL3020 |
| MK21-1A66C-100W | 制造商:MEDER 制造商全称:Meder Electronic 功能描述:MK Reed Sensor |
| MK21-1A66C-500W | 功能描述:近程传感器 1 Form A Screw Mt AT 1520 Wire Term RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 感应方式:Optical 感应距离:1 mm to 200 mm 电源电压:2.5 V to 3.6 V 安装风格:SMD/SMT 输出配置:Digital 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 系列:VCNL3020 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。