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参数资料
| 型号： | MKI75-06A7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT H-BRIDGE 600V 90A E2 |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 全桥反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 90A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1.3mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.2nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 280W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MKI 75-06 A7
MKI 75-06 A7T
10.0
100
5
500
E on
mJ
7.5
t d(on)
ns
75
t
E off
mJ
4
E off
ns
400
t
5.0
2.5
0.0
E on
t r
V CE = 300V
V GE = ±15V
R G = 18 ?
T VJ = 125°C
50
25
0
3
2
1
0
t d(off)
V CE = 300V
V GE = ±15V
R G = 18 ?
T VJ = 125°C
t f
300
200
100
0
0
40
80
I C
120
A
160
0
40
80
120 A
I C
160
B3
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
10
100
5
500
E on
mJ
8
6
t d(on)
t r
ns
80
60
t
mJ
4
E off
3
t d(off)
E off
ns
400
300
t
4
V CE = 300V
V GE = ±15V
40
2
V CE = 300V
V GE = ±15V
200
I C
I C
2
E on
= 75A
T VJ = 125°C
20
1
= 75A
T VJ = 125°C
100
0
0
10
20
30
40
0
50 ? 60
0
0
10
20
30
40
t f
0
50 ? 60
R G
R G
160
A
Fig. 9 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
1
K/W
Fig.10
Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
diode
IGBT
I CM
120
80
0.1
Z thJC
0.01
40
0
R G = 18 ?
T VJ = 125°C
0.001
0.0001
single pulse
MWI7506A7
0
100
200
300
400
500
600
700 V
0.00001 0.0001 0.001
0.01
0.1
1
s 10
V CE
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
? 2005 IXYS All rights reserved
t
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CCPD-033-50-100.000 | OSC LVPECL 100.0 MHZ 3.3V SMD |
| F1892CCH1600 | MODULE SCR/DIODE 90A 600VAC |
| F1892CAH1600 | MODULE SCR/DIODE 90A 600VAC |
| L31S600S05S | SENSOR CURRENT |
| MK24-D-3 | SENSOR REED SPST-NO 5MM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MKI75-06A7T | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI75-12E8 | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI80-06T6K | 功能描述:IGBT 模块 80 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKIAP20 | 制造商:ILME 功能描述:HOUSING, 1 LEVER, SURFACE MOUNT, PLASTIC; Series:MK; Accessory Type:Angled Bulkhead Housing; For Use With:MK Series ILME Multipole Connector Inserts; Connector Shell Size:-; Cable Exit Angle:Side; Connector Body Mater ;RoHS Compliant: Yes |
| M-KIT | 功能描述:KIT CAP RADIAL M SERIES 170 PCS RoHS:是 类别:套件 >> 无源 - 电容器 系列:M 标准包装:1 系列:SP-Cap CD, CX, SL, SX 套件类型:聚合物，铝电解 值:135 件 - 39µF ~ 470µF，各 15 件 包装:- 安装类型:表面贴装 包括封装:7343-17，7343-20 产品目录页面:2651 (CN2011-ZH PDF) 工具箱内容:(15) PCE4991CT-ND - CAP ALUM 220UF 4V 20% SMD(15) PCE4990CT-ND - CAP ALUM 330UF 2V 20% SMD(15) PCE4989CT-ND - CAP ALUM 150UF 6.3V 20% SMD(15) PCE4988CT-ND - CAP ALUM 150UF 6.3V 20% SMD(15) PCE4943CT-ND - CAP ALUM 39UF 10V 20% SMD(15) PCE4823CT-ND - CAP ALUM 470UF 2V 20% SMD(15) PCE4816CT-ND - CAP ALUM 220UF 4V 20% SMD(15) PCE4479CT-ND - CAP ALUM 220UF 2V 20% SMD(15) PCE4472CT-ND - CAP ALUM 120UF 2V 20% SMD 其它名称:SP4-KIT |
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