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参数资料
| 型号： | MKI75-06A7 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | Short Circuit SOA Capability Square RBSOA |
| 中文描述： | 90 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | MKI75-06A7 |
2002 IXYS All rights reserved
4 - 4
B3
MKI 75-06 A7
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
0
40
80
120
160
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
0
25
50
75
100
0
40
80
120
I
C
160
0
1
2
3
4
5
0
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400
500
0.000010.0001 0.001
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R
G
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R
G
50
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0
2
4
6
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mJ
0
20
40
60
80
100
single pulse
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 18
T
VJ
= 125°C
MWI7506A7
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
I
C
= 75A
T
VJ
= 125°C
0
100
200
300
400
500
600
V
CE
700
0
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120
160
R
G
= 18
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 18
T
VJ
= 125°C
E
on
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
I
C
= 75A
T
VJ
= 125°C
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
A
E
off
E
on
t
t
t
s
E
on
mJ
E
off
ns
t
ns
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
diode
V
A
mJ
ns
ns
mJ
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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