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参数资料
| 型号： | MKP1V160RLG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SIDAC BIDIR 0.9A 160V DO-41 |
| 标准包装： | 1 |
| 电流 - 峰值输出： | 900mA |
| 电压 - 击穿： | 150 ~ 170V |
| 电流 - 维持(Ih)： | 100mA |
| 电流 - 击穿： | 200µA |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MKP1V160RLGOSCT |
MKP1V120 Series
THERMAL CHARACTERISTICS
1.0
0.7
0.5
The temperature of the lead should be
0.3
0.2
measured using a thermocouple placed on the
lead as close as possible to the tie point. The
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
Z q JL (t) = R q JL ? r(t)
D T JL = P pk R q JL [r(t)]
where: t p TIME
D T JL = the increase in junction temperature above the
lead temperature
r(t) = normalized value of transient thermal resistance at
time, t from this figure. For example,
r(t p ) = normalized value of transient resistance at time t p .
thermal mass connected to the tie point is
normally large enough so that it will not
significantly respond to heat surges generated
in the diode as a result of pulsed operation
once steady-state conditions are achieved.
Using the measured value of T L , the junction
temperature may be determined by:
T J = T L + D T JL
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
t, TIME (ms)
Figure 5. Thermal Response
1.4
1.0
0.9
0.8
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. Typical Breakover Voltage
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 7. Typical Holding Current
10
I PK
10%
tw
1.0
0.1
1.0
10
100
t w , PULSE WIDTH (ms)
Figure 8. Pulse Rating Curve
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95Y685M025CSAL | CAP TANT 6.8UF 25V 20% 2910 |
| R0.25D-123.3 | CONV DC/DC 0.25W 12V +/-3.3VOUT |
| T95Y685K025CSAL | CAP TANT 6.8UF 25V 10% 2910 |
| GSM06DRTI-S13 | CONN EDGECARD 12POS .156 EXTEND |
| 17PY-Z858-00VS | MOTOR STEP UNI 42MM SQ 24V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MKP1V240 | 功能描述:硅对称二端开关元件 240V 0.9A Trigger RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MKP1V240G | 功能描述:硅对称二端开关元件 240V 0.9A Trigger RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MKP1V240RL | 功能描述:硅对称二端开关元件 240V 0.9A Trigger RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MKP1V240RLG | 功能描述:硅对称二端开关元件 240V 0.9A Trigger RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MKP1V260 | 制造商:ONS 功能描述:ON SEMICONDUCTOR S7D9A |
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