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参数资料
| 型号： | ML610Q346-NNNTB |
| 厂商： | LAPIS SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 4.2 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| 封装： | 10 x 10 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TQFP-64 |
| 文件页数： | 7/22页 |
| 文件大小： | 258K |
| 代理商： | ML610Q346-NNNTB |
PEDL610346DIGEST-02
ML610Q346/346
15/22
Flash Memory Operating Conditions
(VSS = AVSS = SPVSS = 0V)
Parameter
Symbol
Condition
Range
Unit
Operating temperature
TOP
At write/erase
0 to +40
°C
VDD
At write/erase (*1)
2.7 to 3.6
Operating voltage
VPP
At write/erase (*1)
7.7 to 8.3
V
Maximum rewrite count
CEP
―
80
times
Data retention period
YDR
―
10
years
*1: When writing data to, or erasing data from, flash ROM, it is necessary to apply a voltage within the range
specified above to the VDDL pin.
DC Characteristics (1 of 5)
(VDD = SPVDD = AVDD = 2.2 to 5.5V, VSS = AVSS = SPVSS = 0V,
Ta =
40 to +85°C, unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Measuring
circuit
High-speed oscillation start
time
TXTH
―
2
20
ms
Low-speed RC oscillator
frequency
fLCR
―
27.2k
32k
36.8k
Hz
Reset pulse width
PRST
―
100
―
Reset noise rejection pulse
width
PNRST
―
0.4
μs
Time from power-on reset to
power-up
TPOR
―
10
ms
1
Reset
RESET_N
Reset by RESET_N pin
VDD
0.9
×VDD
0.1
×VDD
TPOR
Power-on reset
PRST
VIL1
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