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参数资料
| 型号： | MLF2012DR10K |
| 厂商： | TDK Corporation |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | INDUCTOR MULTILAYER 0.1UH 0805 |
| 产品培训模块： | SMD Inductors |
| RoHS指令信息： | RoHS Material |
| 产品目录绘图： | 2012 (0805) Top |
| 其它图纸： | 2012 (0805) Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MLF |
| 电感： | 100nH |
| 电流： | 300mA |
| 类型： | 铁氧体芯体 |
| 容差： | ±10% |
| 屏蔽： | 屏蔽 |
| DC 电阻(DCR)： | 最大 150 毫欧 |
| Q因子@频率： | 20 @ 25MHz |
| 频率 - 自谐振： | 500MHz |
| 材料 - 芯体： | 铁氧体 |
| 封装/外壳： | 0805（2012 公制） |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 包装： | 标准包装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 频率 - 测试： | 25MHz |
| 产品目录页面： | 1809 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 445-1035-6 |
(9/9)
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
INDUCTANCE CHANGE vs. DC SUPERPOSITION
CHARACTERISTICS
100
22 μ H
IMPEDANCE vs. FREQUENCY CHARACTERISTICS
100
10
10 μ H
10
1
1 μ H
1
22 μ H
10 μ H
0.1
0.1 μ H
0.1
1 μ H
0.1 μ H
0.01
1
5
10 50 100
500 1000
0.01
1
5
10 50 100
500 1000
DC current (mA)
INDUCTANCE CHANGE vs. TEMPERATURE
CHARACTERISTICS
Frequency (MHz)
Q vs. FREQUENCY CHARACTERISTICS
12
8
4
1 μ H
10 μ H
0.1 μ H
80
60
10 μ H
1 μ H
–25
22 μ H
0.1 μ H
1 μ H
10 μ H
0
0 25 50
–4 Temperature (?C)
–8
–12
22 μ H
85
40
20
22 μ H
0.1 μ H
–16
0
0.1
0.5 1
5 10 50 100
5001000
Frequency (MHz)
PACKAGING STYLES
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
t=0.85mm
1.0
1.1max.
Sprocket hole
1.5 ± 0.2
–0.0
1.5 +0.1
4.0 ± 0.1
Cavity
4.0 ± 0.1
2.0 ± 0.05
2.0 ± 0.5
–0.0
8.4 +2.0
t=1.25mm
?13 ± 0.2
?21 ± 0.8
14.4max.
1.5max.
Sprocket hole
–0.0
1.5 +0.1
0.5min.
Cavity
?180 ± 2.0
Dimensions in mm
0.3max.
1.5 ± 0.2
4.0 ± 0.1
4.0 ± 0.1
2.0 ± 0.05
160min.
Drawing direction
Taping
200min.
300min.
Dimensions in mm
? All specifications are subject to change without notice.
001-05 / 20111129 / e511_mlf_02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V35761S166BQ8 | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA |
| T95R156M050CSAS | CAP TANT 15UF 50V 20% 2824 |
| PSAA20R-240-R-CR2 | ADAPTER WALL R-SERIES 20W 24V |
| RSM31DTBN | CONN EDGECARD 62POS R/A .156 SLD |
| GCM08DSEN-S13 | CONN EDGECARD 16POS .156 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MLF2012DR10KT | 制造商:TDK Epcos 功能描述: |
| MLF2012DR10KT000 | 功能描述:100nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 150 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:100nH 容差:±10% 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:150 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:20 @ 25MHz 频率 - 自谐振:400MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.041"（1.05mm） 标准包装:1 |
| MLF2012DR10KTD25 | 功能描述:100nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 150 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:100nH 容差:±10% 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:150 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:20 @ 25MHz 频率 - 自谐振:400MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.041"（1.05mm） 标准包装:1 |
| MLF2012DR10M | 功能描述:固定电感器 0.1uH RoHS:否 制造商:AVX 电感:10 uH 容差:20 % 最大直流电流:1 A 最大直流电阻:0.075 Ohms 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 自谐振频率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:6.6 mm x 4.45 mm |
| MLF2012DR10MTD25 | 功能描述:100nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 150 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:100nH 容差:±20% 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:150 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:20 @ 25MHz 频率 - 自谐振:400MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.041"（1.05mm） 标准包装:1 |
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