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参数资料
| 型号： | MLP1N06CL |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1A 62V TO-220AB |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SMARTDISCRETES™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 工作温度： | -50°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
MLP1N06CL
Preferred Device
SMARTDISCRETES t MOSFET
1 Amp, 62 Volts, Logic Level
N–Channel TO–220
These SMARTDISCRETES devices feature current limiting for
short circuit protection, an integral gate–to–source clamp for ESD
protection and gate–to–drain clamp for over–voltage protection. No
additional gate series resistance is required when interfacing to the
output of a MCU, but a 40 k ? gate pulldown resistor is recommended
to avoid a floating gate condition.
The internal gate–to–source and gate–to–drain clamps allow the
devices to be applied without use of external transient suppression
http://onsemi.com
1 AMPERE
62 VOLTS (Clamped)
RDS(on) = 750 m ?
components. The gate–to–source clamp protects the MOSFET input
from electrostatic gate voltage stresses up to 2.0 kV. The gate–to–drain
clamp protects the MOSFET drain from drain avalanche stresses that
occur with inductive loads. This unique design provides voltage
N–Channel
D
clamping that is essentially independent of operating temperature.
? Temperature Compensated Gate–to–Drain Clamp Limits Voltage
Stress Applied to the Device and Protects the Load From
Overvoltage
? Integrated ESD Diode Protection
? Controlled Switching Minimizes RFI
? Low Threshold Voltage Enables Interfacing Power Loads to
Microprocessors
MAXIMUM RATINGS (TC = 25 ° C unless otherwise noted)
G
R1
R2
S
MARKING DIAGRAM
& PIN ASSIGNMENT
Rating
Drain–to–Source Voltage
Drain–to–Gate Voltage
(RGS = 1.0 M ? )
Gate–to–Source Voltage – Continuous
Symbol
VDSS
VDGR
VGS
Value
Clamped
Clamped
± 10
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
4
TO–220AB
CASE 221A
4
Drain
Drain Current – Continuous
Drain Current – Single Pulse
ID
IDM
Self–limited
1.8
Adc
STYLE 5
L1N06CL
LLYWW
Total Power Dissipation
Electrostatic Discharge Voltage
PD
ESD
40
2.0
Watts
kV
1
2
3
1
Gate
3
Source
(Human Body Model)
Operating and Storage Junction
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
TJ, Tstg
–50 to 150
° C
L1N06CL
LL
2
Drain
= Device Code
= Location Code
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to
Ambient
R θ JC
R θ JA
3.12
62.5
° C/W
Y
WW
= Year
= Work Week
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes, 1/8 ″ from case
TL
260
° C
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping
MLP1N06CL
TO–220AB
50 Units/Rail
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
? Semiconductor Components Industries, LLC, 2000
November, 2000 – Rev. 2
1
Publication Order Number:
MLP1N06CL/D
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PDF描述 |
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参数描述 |
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