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参数资料
| 型号： | MLZ2012DR22MT |
| 元件分类： | 通用定值电感 |
| 英文描述： | 1 ELEMENT, 0.22 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| 封装： | CHIP, 2012, ROHS COMPLIANT |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | MLZ2012DR22MT |
(2/3)
005-02 / 20090921 / e533_mlz2012.fm
All specifications are subject to change without notice.
SHAPES AND DIMENSIONS/RECOMMENDED PC BOARD PATTERN
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Test equipment
Inductance: Ag4294A-16034G
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
INDUCTANCE vs. FREQUENCY CHARACTERISTICS
INDUCTANCE CHANGE vs. DC SUPERPOSITION
CHARACTERISTICS
IMPEDANCE vs. FREQUENCY CHARACTERISTICS
TEMPERATURE CHARACTERISTICS
Classification Part No.
Inductance
(H)
Inductance
tolerance
Thickness
(mm)
Test frequency
L (MHz)
Test current
L (mA)
Self-resonant
frequency
(MHz)typ.
DC resistance
(
Ω)±30%
Rated current
(mA)
High
frequency
supported
MLZ2012DR10MT
0.10
±20%
0.85
25
1.0
500
0.07
1000
MLZ2012DR22MT
0.22
±20%
0.85
25
1.0
330
0.13
800
MLZ2012DR47MT
0.47
±20%
1.25
25
1.0
230
0.18
550
STD
MLZ2012A1R0MT
1.0
±20%
0.85
10
1.0
160
0.12
220
MLZ2012A2R2MT
2.2
±20%
0.85
10
1.0
120
0.20
160
MLZ2012E4R7MT
4.7
±20%
0.85
2
0.1
70
0.30
80
MLZ2012E100MT
10.0
±20%
1.25
2
0.1
50
0.40
60
IDC-UP
MLZ2012A1R0WT
1.0
±20%
0.85
10
1.0
160
0.10
280
MLZ2012A2R2WT
2.2
±20%
0.85
10
1.0
120
0.15
210
MLZ2012M4R7WT
4.7
±20%
0.85
2
0.1
70
0.30
180
MLZ2012M100WT
10.0
±20%
1.25
2
0.1
50
0.47
150
MLZ2012M220WT
22
±20%
1.25
2
0.1
35
2.2
60
MLZ2012M470WT
47
±20%
1.25
2
0.1
20
4.3
50
1.25±0.2
T
0.5±0.3
2.0±0.2
T(Thickness)
0.85±0.2
1.25±0.2
Weight(mg)
10
14
1.0
0.8
1.2
Dimensions in mm
1
10
100
1000
Frequency(MHz)
Inductance
( μ
H
)
1000
100
10
1
0.01
0.1
E100M/M100W
A2R2M/A2R2W
DR47M
DR10M
M470W
1
10
100
1000
DC current(mA)
100
10
1
0.01
0.1
Inductance
( μ
H
)
DR47M
M470W
A2R2M
A2R2W
E100M
DR10M
M100W
100000
10000
1000
100
1
10
1
10
100
1000
Frequency(MHz)
Impedance
( Ω
)
A2R2M/A2R2W
DR47M
DR10M
M470W
E100M/M100W
0
200
400
600
800
1000
DC current(mA)
Temperature
( C
)
60
50
40
0
30
20
10
DR47M
M470W
E100M
M100W
DR10M
A2R2W
A2R2M
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MLZ2012DR10MT | 1 ELEMENT, 0.1 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| MM-2P2-009-161 | 9 CONTACT(S), MALE, D MICROMINIATURE CONNECTOR, CRIMP, PLUG |
| MM-2P2-015-161 | 15 CONTACT(S), MALE, D MICROMINIATURE CONNECTOR, CRIMP, PLUG |
| MM-2P2-021-161 | 21 CONTACT(S), MALE, D MICROMINIATURE CONNECTOR, CRIMP, PLUG |
| MM-2P2-025-161 | 25 CONTACT(S), MALE, D MICROMINIATURE CONNECTOR, CRIMP, PLUG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MLZ2012DR47D | 功能描述:固定电感器 0.47uH RoHS:否 制造商:AVX 电感:10 uH 容差:20 % 最大直流电流:1 A 最大直流电阻:0.075 Ohms 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 自谐振频率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:6.6 mm x 4.45 mm |
| MLZ2012DR47DT | 制造商:TDK 功能描述:INDUCTOR SHIELDED 0.47UH 20 制造商:TDK 功能描述:INDUCTOR, SHIELDED, 0.47UH, 20% 制造商:TDK 功能描述:INDUCTOR, SHIELDED, 0.47UH, 20% ;ROHS COMPLIANT: YES |
| MLZ2012DR47DTD25 | 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 700mA 234 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:700mA 电流 - 饱和值:550mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:234 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.057"（1.45mm） 标准包装:1 |
| MLZ2012E100M | 功能描述:固定电感器 10uH RoHS:否 制造商:AVX 电感:10 uH 容差:20 % 最大直流电流:1 A 最大直流电阻:0.075 Ohms 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 自谐振频率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:6.6 mm x 4.45 mm |
| MLZ2012E100MT | 功能描述:固定电感器 0805 10uH 60mA STD RoHS:否 制造商:AVX 电感:10 uH 容差:20 % 最大直流电流:1 A 最大直流电阻:0.075 Ohms 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 自谐振频率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:6.6 mm x 4.45 mm |
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