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参数资料
型号： MM3Z16VST3G
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 齐纳二极管
英文描述： 16.18 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 477-02, 2 PIN
文件页数： 2/4页
文件大小： 99K
代理商： MM3Z16VST3G
MM3Z3V3ST1 Series
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25°C unless otherwise noted,
VF = 0.9 V Max. @ IF = 10 mA for all types)
Symbol
Parameter
VZ
Reverse Zener Voltage @ IZT
IZT
Reverse Current
ZZT
Maximum Zener Impedance @ IZT
IZK
Reverse Current
ZZK
Maximum Zener Impedance @ IZK
IR
Reverse Leakage Current @ VR
VR
Reverse Voltage
IF
Forward Current
VF
Forward Voltage @ IF
QVZ
Maximum Temperature Coefficient of VZ
C
Max. Capacitance @VR = 0 and f = 1 MHz
Zener Voltage Regulator
IF
V
I
IR
IZT
VR
VZ
VF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VF = 0.9 Max @ IF = 10 mA for all types)
Device*
Device
Marking
Test
Current
Izt mA
Zener Voltage VZ
ZZK IZ
= 0.5
mA W
Max
ZZT
IZ = IZT
@ 10%
Mod W
Max
IR @ VR
dVZ/dt (mV/k)
@ IZT1 = 5 mA
C pF Max @
VR = 0
f = 1 MHz
Min
Max
mA
V
Min
Max
MM3Z3V0ST1, G
T4
5.0
2.90
3.11
1000
100
10
1.0
3.5
0
450
MM3Z3V3ST1, G
T5
5.0
3.32
3.53
1000
95
5.0
1.0
3.5
0
450
MM3Z3V9ST1, G
T7
5.0
3.89
4.16
1000
90
3.0
1.0
3.5
2.5
450
MM3Z4V3ST1, G
T8
5.0
4.17
4.43
1000
90
3.0
1.0
3.5
0
450
MM3Z4V7ST1, G
T9
5.0
4.55
4.75
800
80
3.0
2.0
3.5
0.2
260
MM3Z5V1ST1, G
TA
5.0
4.98
5.2
500
60
2.0
2.7
1.2
225
MM3Z5V6ST1, G
TC
5.0
5.49
5.73
200
40
1.0
2.0
2.5
200
MM3Z6V2ST1, G
TE
5.0
6.06
6.33
100
10
3.0
4.0
0.4
3.7
185
MM3Z6V8ST1, G
TF
5.0
6.65
6.93
160
15
2.0
4.0
1.2
4.5
155
MM3Z7V5ST1, G
TG
5.0
7.28
7.6
160
15
1.0
5.0
2.5
5.3
140
MM3Z8V2ST1, G
TH
5.0
8.02
8.36
160
15
0.7
5.0
3.2
6.2
135
MM3Z9V1ST1, G
TK
5.0
8.85
9.23
160
15
0.5
6.0
3.8
7.0
130
MM3Z10VST1, G
WB
5.0
9.80
10.20
160
15
0.5
6.0
4.5
8.0
130
MM3Z12VST1, G
TN
5.0
11.74
12.24
80
25
0.1
8.0
6.0
10
130
MM3Z15VST1, G
TP
5.0
14.34
14.98
80
40
0.1
11
8.8
12.7
130
MM3Z16VST1, G
TU
5.0
15.85
16.51
80
40
0.05
11.2
10.4
14
105
MM3Z18VST1, G
TW
5.0
17.56
18.35
80
45
0.05
12.6
12.4
16
100
MM3Z22VST1G
WP
5.0
21.54
22.47
100
55
0.05
15.4
16.4
20
85
MM3Z24VST1G
WT
5.0
23.72
24.78
120
70
0.05
16.8
18.4
22
80
MM3Z27VST1G
WQ
5.0
26.19
27.53
300
80
0.05
18.9
21.4
25.3
70
MM3Z33VST1G
WR
5.0
32.15
33.79
300
80
0.05
23.2
27.4
33.4
70
MM3Z36VST1G
WU
5.0
35.07
36.87
500
90
0.05
25.2
30.4
37.4
70
*The “G’’ suffix indicates PbFree package available.
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PDF描述
MM3Z5V1ST3G 5.09 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MM3Z9V1ST3G 9.04 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MM3Z22VST3G 22 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MM3Z12VST3G 11.99 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MM3Z15VST3G 14.66 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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参数描述
MM3Z16VSTG 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators 200 mW SOD−323 Surface Mount Tight Tolerance Portfolio
MM3Z16VT1 功能描述:稳压二极管 16V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MM3Z16VT1G 功能描述:稳压二极管 16V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MM3Z18 功能描述:稳压二极管 18 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MM3Z18 RR 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:SOD323-F;ZENER 500MW 5% 18V
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