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参数资料
| 型号： | MM3Z22VCW |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 22 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | GREEN, PLASTIC, SIMILAR TO SC-90, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | MM3Z22VCW |
Number: DB-087
May 2009, Revision D
Page 3
TAK CHEONG
SEMICONDUCTOR
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
Fig.1 TYPICAL FORWARD VOLTAGE
Fig.2 EFFECT OF ZENER VOLTAGE ON ZENER IMPEDANCE
Fig.4 TYPICAL CAPACITANCE
Fig.5 ZENER BREAKDOWN CHARACTERISTICS
Fig.6 ZENER BREAKDOWN CHARACTERISTICS
0
50
100
150
200
250
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TEMPERATURE [
℃]
P
O
W
E
R
P
A
S
IP
AT
IO
N,
mW
Fig.3 POWER DISSIPATION VS. AMBIENT TEMP.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MM3Z10VCW | 10 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MM3Z12VCW | 12 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MM3Z3V9CW | 3.9 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MM3Z15VCW | 15 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBD353WT/R13 | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MM3Z22VS | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Planar Die Construction |
| MM3Z22VST1G | 功能描述:稳压二极管 SOD323 REG 0.2W 22V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MM3Z22VT1 | 功能描述:稳压二极管 22V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MM3Z22VT1G | 功能描述:稳压二极管 22V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MM3Z23V9T1G | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:a Phase-Dimmable, Primary-Side Regulated LED Driver |
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