型号: | MM3Z36VST3 |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 35.97 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | PLASTIC, CASE 477-02, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 130K |
代理商: | MM3Z36VST3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBZ5231B-V-G-8 | 5.1 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5231C-V-G-8 | 5.1 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5250-V-G-8 | 20 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMTZJ12C-TP | 12.04 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
MMTZJ16C-BP | 16.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MM3Z36VT1 | 功能描述:稳压二极管 36V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MM3Z36VT1G | 功能描述:稳压二极管 36V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MM3Z39 | 功能描述:稳压二极管 39 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MM3Z39 RR | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:SOD323-F;ZENER 500MW 5% 39V |
MM3Z39B | 制造商:HTSEMI 制造商全称:Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 功能描述:Silicon Planar Zener Diodes |