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参数资料
型号： MM3Z9V1BW
元件分类： 齐纳二极管
英文描述： 9.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装： GREEN, PLASTIC, SIMILAR TO SC-90, 2 PIN
文件页数： 2/5页
文件大小： 284K
代理商： MM3Z9V1BW
Number: DB-088
May 2009, Revision D
Page 2
TAK CHEONG
SEMICONDUCTOR
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
VZ @ IZT
(Volts)
Device
Type
Device
Marking
Min
Nom
Max
IZT
(mA)
ZZT @ IZT
(
Ω)
Max
IZK
(mA)
ZZK @ IZK
(
Ω)
Max
IR @ VR
(
μA)
Max
VR
(Volts)
MM3Z20VBW
NZ
19.60
20
20.40
5
55
1
212
0.045
14.0
MM3Z22VBW
PZ
21.56
22
22.44
5
55
1
235
0.045
15.4
MM3Z24VBW
RZ
23.52
24
24.48
5
70
1
235
0.045
16.8
MM3Z27VBW
SZ
26.46
27
27.54
2
80
0.5
282
0.045
18.9
MM3Z30VBW
TZ
29.40
30
30.60
2
80
0.5
282
0.045
21.0
MM3Z33VBW
UZ
32.34
33
33.66
2
80
0.5
306
0.045
23.0
MM3Z36VBW
VZ
35.28
36
36.72
2
90
0.5
329
0.045
25.2
MM3Z39VBW
WZ
38.22
39
39.78
2
130
0.5
329
0.045
27.3
MM3Z43VBW
XZ
42.14
43
43.86
2
150
0.5
353
0.045
30.1
MM3Z47VBW
YZ
46.06
47
47.94
2
170
0.5
353
0.045
33.0
MM3Z51VBW
Z
49.98
51
52.02
2
180
0.5
376
0.045
35.7
MM3Z56VBW
=Z
54.88
56
57.12
2
200
0.5
400
0.045
39.2
MM3Z62VBW
≡Z
60.76
62
63.24
2
215
0.5
423
0.045
43.4
MM3Z68VBW
>Z
66.64
68
69.36
2
240
0.5
447
0.045
47.6
MM3Z75VBW
<Z
73.50
75
76.50
2
255
0.5
470
0.045
52.5
VF Forward Voltage = 1 V Maximum @ IF = 10 mA for all types
Notes:
1.
The Zener Voltage (V
Z) is tested under pulse condition of 10mS.
2.
The device numbers listed have a standard tolerance on the nominal zener voltage of ±2%.
3.
For detailed information on price, availability and delivery of nominal zener voltages between the voltages shown and tighter
voltage tolerances, contact your nearest Tak Cheong Electronics representative.
4.
The zener impedance is derived from the 60-cycle ac voltage, which results when an ac current having an rms value equal to
10% of the dc zener current (I
ZT or IZK) is superimposed to IZT or IZK.
相关PDF资料
PDF描述
MMSZ47VBW 47 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ6V2CW 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MSPRT65KP54CAE3 65000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
MMSZ5232B 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5238B 8.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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参数描述
MM3Z9V1C 功能描述:稳压二极管 Diode Zener 9.1V 200mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MM3Z9V1ST1 功能描述:稳压二极管 9.1V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MM3Z9V1ST1G 功能描述:稳压二极管 9.1V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MM3Z9V1T1 功能描述:稳压二极管 9.1V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MM3Z9V1T1G 功能描述:稳压二极管 9.1V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
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